Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/20.500.11790/77
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dc.contributor.authorHanreich, Gernotde_AT
dc.contributor.authorMündlein, Martinde_AT
dc.contributor.authorNicolics, Johannde_AT
dc.contributor.authorMayer, Markusde_AT
dc.date.accessioned2015-12-04T09:19:59Z-
dc.date.available2015-12-04T09:19:59Z-
dc.date.issued2004-02-05-
dc.identifier.citationIn: GMM-Fachbericht Elektronische Baugruppen, 505 - 509de_AT
dc.identifier.isbn3-8007-2813-3-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11790/77-
dc.descriptionVorträge der DVS/GMM-Fachtagung vom 4. bis 5. Februar 2004 in Fellbachde_AT
dc.description.abstractObwohl Galliumarsenid-Transistoren (GaAs) wegen ihrer Hochfrequenztauglichkeit in zahlreichen Breichen der Telekommunikation zur Anwendung kommen, bleibt als Nachteil bei ihrem Einsatz in Leistungsverstärkern die im Vergleich zu Silizium viel kleinere Wärmeleitfähigkeit. Insbesondere die im Pulsbetrieb unvermeidbaren Temperaturunterschiede innerhalb des Gates führen wegen der Temperaturabhängigkeit der elektrischen Eigenschaften zu einem zeitlich veränderlichen nichtlinearen Verhalten der Transistoren während eines Pulses. Die Stärke dieses Phänomens hängt dabei erheblich von montagebedingten Wärmeübergangswiderständen ab. Mit Hilfe eines an unserem Institut speziell für thermische Untersuchungen elektronischer Baugruppen und Bauteile entwickelten Simulationsprogramms (TRESCOM II) wird im Rahmen dieses Beitrages gezeigt, wie eine auf Grund von gegenseitigen Abhängigkeiten komplexe thermische Optimierungsaufgabe mit vergleichsweise geringem Aufwand gelöst werden kann. Ferner werden Wärmeübergangskoeffizienten durch Vergleich gemessener und berechneter Ergebnisse bestimmt, sowie die Grenzen und Unsicherheiten des 'Reverse-Modelings' diskutiert.de_AT
dc.description.sponsorshipEnergie-Umweltmanagementde_AT
dc.language.isodede_AT
dc.publisherVDE-Verlagde_AT
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccess-
dc.titleSimulationsunterstützte thermische Analyse einer Galliumarsenid-Feldeffekt-Leistungstransistorbaugruppede_AT
dc.title.alternativeSimulation based thermal analysis of a GaAs field effect power transistor assemblyde_AT
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObject-
dc.typeKonferenzbeitragde_AT
item.grantfulltextnone-
item.languageiso639-1de-
item.fulltextNo Fulltext-
item.openairetypeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObject-
item.openairetypeKonferenzbeitrag-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
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item.cerifentitytypePublications-
item.cerifentitytypePublications-
crisitem.author.deptEnergie-Umweltmanagement-
crisitem.author.parentorgFH Burgenland-
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