Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/20.500.11790/77
Title: Simulationsunterstützte thermische Analyse einer Galliumarsenid-Feldeffekt-Leistungstransistorbaugruppe
Other Titles: Simulation based thermal analysis of a GaAs field effect power transistor assembly
Authors: Hanreich, Gernot 
Mündlein, Martin 
Nicolics, Johann 
Mayer, Markus 
Issue Date: 5-Feb-2004
Publisher: VDE-Verlag
Source: In: GMM-Fachbericht Elektronische Baugruppen, 505 - 509
Abstract: Obwohl Galliumarsenid-Transistoren (GaAs) wegen ihrer Hochfrequenztauglichkeit in zahlreichen Breichen der Telekommunikation zur Anwendung kommen, bleibt als Nachteil bei ihrem Einsatz in Leistungsverstärkern die im Vergleich zu Silizium viel kleinere Wärmeleitfähigkeit. Insbesondere die im Pulsbetrieb unvermeidbaren Temperaturunterschiede innerhalb des Gates führen wegen der Temperaturabhängigkeit der elektrischen Eigenschaften zu einem zeitlich veränderlichen nichtlinearen Verhalten der Transistoren während eines Pulses. Die Stärke dieses Phänomens hängt dabei erheblich von montagebedingten Wärmeübergangswiderständen ab. Mit Hilfe eines an unserem Institut speziell für thermische Untersuchungen elektronischer Baugruppen und Bauteile entwickelten Simulationsprogramms (TRESCOM II) wird im Rahmen dieses Beitrages gezeigt, wie eine auf Grund von gegenseitigen Abhängigkeiten komplexe thermische Optimierungsaufgabe mit vergleichsweise geringem Aufwand gelöst werden kann. Ferner werden Wärmeübergangskoeffizienten durch Vergleich gemessener und berechneter Ergebnisse bestimmt, sowie die Grenzen und Unsicherheiten des 'Reverse-Modelings' diskutiert.
Description: Vorträge der DVS/GMM-Fachtagung vom 4. bis 5. Februar 2004 in Fellbach
URI: http://hdl.handle.net/20.500.11790/77
ISBN: 3-8007-2813-3
Rights: info:eu-repo/semantics/closedAccess
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